|
|
Поиск по всей базе задач и всему сайту |
|
|
Новое на форуме
|
Популярное на форуме
|
|
ФОЭТ
| |
| bovali | Дата: Воскресенье, 17.10.2010, 19:55 | Сообщение # 1 |
 Admin
Группа: Администраторы
Сообщений: 908
Статус: Offline
| Физические основы электронной техники
Рабочая учебная программа,
методические указания и контрольные работы
Учебно-методическое пособие
для студентов специальности 1-36 04 02
«Промышленная электроника»
вечерней и заочной форм обучения
Минск 2010
Учреждение образования
«Белорусский государственный университет
информатики и радиоэлектроники» Составитель программы:
А.П. Казанцев, кандидат технических наук, доцент кафедры Информационных систем и технологий Института информационных технологий Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники».
Заказать контрольную ФОЭТ БГУИР
MP3 - симфония формул и логики
|
| |
| |
| bovali | Дата: Воскресенье, 17.10.2010, 20:02 | Сообщение # 2 |
|
Admin
Группа: Администраторы
Сообщений: 908
Статус: Offline
| КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Чем обусловлены диффузионная и барьерная емкости р-n перехода?
2. В чем трудность получения идеального омического контакта?
3. Почему лавинный пробой возникает при больших напряжениях, чем туннельный, в то время как критическая напряженность электрического поля лавинного пробоя меньше? Как изменяются величины Uпр обоих типов пробоя от температуры? Почему?
4. Начертите и объясните зависимости обратного тока р-n перехода (диода) от обратного напряжения для следующих условий: а) германиевый р-n переход, толстая база; б) германиевый р-n переход, тонкая база; в) кремниевый р-n переход, толстая база; г) кремниевый р-n переход, тонкая база.
5. Как изменяются частотные свойства р-n перехода с увеличением температуры при работе с высоким и малым уровнями инжекции? Почему?
6. Объясните, почему даже при равенстве площадей эмиттера и коллектора биполярный транзистор нельзя считать полностью обратимым прибором.
7. Каково соотношение между величинами обратных токов биполярного транзистора IКБО, IКЭО, IКБК ? Почему?
8. Определите h-параметры по статистическим характеристикам биполярных транзисторов.
9. Напишите выражения для коэффициентов передачи тока эмиттера и коллектора одномерной теоретической модели транзистора. Что такое эффективность эмиттера и каковы пути ее увеличения?
10. Опишите основные статистические параметры биполярного транзистора для трех областей его работы: отсечки, насыщения и активной.
11. Объясните характер зависимости h21 от температуры. В какой схеме включения транзистора с общей базой или с общим эмиттером этот параметр в большей степени зависит от температуры и почему?
12. Предположим, что площади эмиттера и коллектора равны. Какая из барьерных емкостей этих переходов больше и почему? Какая из этих емкостей сильнее влияет на работу транзистора и почему?
13. Объясните, что такое предельная и граничная частоты усиления по току и максимальная частота генерации. Каково соотношение между их величинами? Каковы пути их повышения?
14. Определите коэффициент инжекции, коэффициент переноса носителей через базу и коэффициент передачи тока для нормального и инверсного включения транзистора.
15. Объясните график зависимости коэффициента передачи тока базы от тока эмиттера.
16. Опишите преимущества и недостатки дрейфового транзистора (по сравнению с бездрейфовым).
17. Используя энергетические диаграммы МДП-структур, объясните принцип работы р-канального МДП-транзистора с индуцированным каналом.
18. Опишите эффект Эрли и два его следствия.
19. В чем причина оттеснения тока эмиттера на край эмиттера? Как "борются" с этим эффектом?
20. Почему время включения транзистора в схеме ОЭ в (βN+1) больше, чем в схеме ОБ?
21. Что произойдет с величиной частоты отсечки (граничной частотой) биполярного транзистора при значительном увеличении плотности эмиттерного тока?
22. Опишите особенности работы полевых транзисторов (по сравнению с биполярными): управление, частотные свойства, технологичность, экономичность.
23. Как изменится величина частоты отсечки (граничной частоты) биполярного транзистора при переходе его работы в микрорежим?
24. Опишите составляющие базового тока биполярного транзистора, дайте их определение и укажите на возможные пути уменьшения величины базового тока.
25. Как изменятся величина порогового напряжения короткоканального МОП-транзистора по отношению к длинноканальному из-за близости ОПЗ стока и истока?
26. Виды пробоя МОП-транзисторов. В чем заключаются особенности пробоя короткоканального МОП-транзистора?
27. Какое свойство диода Шоттки используется в транзисторах Шоттки и в мощных диодах Шоттки, используемых в блоках питания?
28. Почему пиковый ток туннельного диода слабо зависит от температуры?
29. Какие методы используются для уменьшения коэффициента передачи тока транзисторных структур, составляющих тиристор?
30. Почему на прямой ветви ВАХ тиристора наблюдается участок отрицательного дифференциального сопротивления?
31. Как объяснить график зависимости величины концентрации свободных
носителей заряда от обратной температуры?
32. Что такое эффект Холла?
33. Как связаны между собой параметры “подвижность” и “ рассеяние”
свободных носителей заряда?
34. Что такое дрейф и диффузия носителей заряда?
35. Что такое уровень Ферми?
36. Из каких соображений твёрдые тела подразделяются на металлы,
диэлектрики и полупроводники?
37. Что такое туннельный эффект?
38. Каким образом на пластине собственного кремния можно получить n- или p-
полупроводник?
39. Что такое индексы Миллера?
40. Какие основные уравнения используются для анализа работы
полупроводниковых приборов?
41. Почему в биполярных транзисторах с широкозонным эмиттером можно
получить большую величину коэффициента инжекции эмиттера при
одинаковой концентрации примесей в эмиттере и базе?
42. Как измениться величина потенциального барьера p-n перехода при
изменении температуры и типа полупроводника? Почему?
43. Как и какими путями возникают токи генерации и рекомбинации при
обратном и прямом смещениях p-n перехода?
44. Зависит ли величина τвост. от величины прямого тока, протекающего через p-
n переход? Почему?
45. Как объяснить зависимость величины коэффициента передачи тока
эмиттера от величины тока эмиттера (коллектора)?
46 Можно ли считать биполярный транзистор обратимым прибором? Если нет,
то почему?
47. Почему Uкэо намного меньше Uкбо?
48. Почему использование диода Шоттки в ТТЛ ИС намного уменьшает время
задержки на вентиль?
49. Почему гребенчатая структура топологии эффективна в мощных
биполярных структурах?
50. От чего зависит величина напряжения смыкания биполярного транзистора?
51. От каких геометрических и электрофизических параметров МОП-транзистора
зависит величина напряжения сквозного обеднения?
52. Как изменяет величину порогового напряжения короткоканального МОП-
транзистора эффект горячих электронов?
53. Что такое «эффект Кирка», и как он влияет на параметры n+-p- -n+
транзистора?
54. Что такое «эффект Кирка», и как он влияет на параметры n+-p-n+
транзистора?
55. Как зависит добротность варикапа от частоты?
56. Почему при использовании структуры overlay в мощных биполярных
транзисторах к эмиттерным полоскам подключают поликремниевые
резисторы?
57. Для чего в стоковую область мощных МОП-транзисторов вводится n-область?
58. Почему гребенчатая структура неэффективна в СВЧ-транзисторах? Какие
структуры применяют в этом диапазоне?
59. Какими способами можно повысить коэффициент усиления по току в мощных
транзисторах?
60. Какими способами можно повысить напряжение лавинного пробоя p-n
перехода?
MP3 - симфония формул и логики
|
| |
| |
| bovali | Дата: Воскресенье, 17.10.2010, 20:08 | Сообщение # 3 |
|
Admin
Группа: Администраторы
Сообщений: 908
Статус: Offline
| МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ДИСЦИПЛИНЕ Дисциплина “Физические основы электронной техники” является базовой дисциплиной для специальностей В результате изучения дисциплины необходимо знать основы физики твёрдого тела и физические процессы в полупроводниковых приборах.
В программу дисциплины включены две части: электронные компоненты и методические указания.
Помимо изучения теоретического материала предусматривается выполнение контрольных заданий. Приводится примерный перечень лабораторных работ. С целью облегчения изучения материала часть “Электронные компоненты” разбита на разделы, и в каждом разделе приводятся методические указания и рекомендуемая литература.
Изучение дисциплины опирается на знания, полученные в результате изучения таких дисциплин, как “Математика”, “Физика” и “Электроника”. Литература Основная 1. 1.Маллер Р., Кейминс Т. “Элементы интегральных схем. - М.: Мир,1989.
2. Колосницын Б.С.Элементы интегральных схем. Физические основы.- Мн.:
БГУИР, 2001 Дополнительная 1. Ферри Д ., Эйкерс П., ГриничЭ. Электроника ультрабольших интегральных схем. - М.: Мир,1991.
2. Ржевкин К.С. Физические принципы действия полупроводниковых приборов. - М.: МГУ, 1986.
3. Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы.- Мир, 1985.
4. Россадо П. Физическая электроника и микроэлектроника. - М.: Высшая школа,1991.
5. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – М: Высшая школа, 1988.
MP3 - симфония формул и логики
|
| |
| |
|
