8. Работа должна быть датирована, подписана студентом и доставлена в
университет на рецензирование.
9. После получения прорецензированной работы студент обязан выпол¬нить указания преподавателя. Все исправления выполняются в конце тетради в разделе "Работа над ошибками", а не в рецензируемом тексте.
10. Если контрольная работа при рецензировании не зачтена, она вы¬полняется повторно в соответствии с указаниями рецензента. Повторная рабо¬та представляется только вместе с предыдущей не зачтенной.
11. Студент должен быть готов дать пояснения по существу решения за¬дач, входящих в контрольные работы.
12. Работа, выполненная не по своему варианту, не рецензируется.

ПРОГРАММА КУРСА "ФХОМ и Т"
1. Структура материалов электронной техники
1.1. Кристаллические твердые тела
Основы кристаллографии. Агрегатные состояния вещества. Основные свойства кристаллических веществ. Симметрия в твердых телах. Виды сим¬метрии. Сингонии. Кристаллические решетки. Решетки Браве. Основные ви-ды решеток, характеристики. Обозначение узлов и направлений в кристаллах. Индексы Миллера.
1.2. Аморфные вещества
Определение и свойства аморфных веществ. Процессы стеклования
1.3. Дефекты структуры
Дефекты структуры кристаллов. Точечные дефекты (по Шоттки, по Френкелю, примесные) и их влияние на физические свойства материалов. Дислокации, Виды дислокации, образование и их влияние на физические свойства материалов Линейные, объемные, поверхностные дефекты и их влияние на физические свойства материалов.
2. Основы квантовой механики
Описание частицы волновым пакетом. Фазовая и групповая скорости. Со¬отношение Гейзенберга. Дифракция электронов. Физический смысл волы де Бройля. Понятие волновой функции электрона. Принцип суперпозиции со¬стояния. Уравнение Шредингера. Стационарное /амплитудное/ уравнение Шредингера. Решение уравнения Шредингера. Требование к волновой функ¬ции. Прохождение частицы через потенциальный барьер. Туннельный эффект. Движение частицы в потенциальной яме. Линейный гармонический осцилля¬тор. Водородоподобный атом. Минимальная энергия атома водорода. Много¬электронные атомы. Принцип Паули. Число состояний и порядок заполнения квантовых состояний.
3. Виды химических связей
Образование ионной связи. Свойства ионных кристаллов. Образование и свойства ковалентной связи. Особенности химической связи в полупроводни¬ках. Образование металлической связи. Свойства металлов. Молекулярная связь. Способ образования и свойства,
4. Зонная теория твердых тел
Модель сильной связи. Модель слабой связи (модель периодического по¬тенциала). Функции Блоха. Дисперсионная зависимость Е(к). Зоны Бриллюэна. Причины образования запрещенных зон в энергетическом спектре кри¬сталла. Число уровней в разрешенных зонах. Приведенные зоны. Металлы, полупро-водники и диэлектрики в свете зонной теории. Эффективная масса электрона. Понятие дырки. Собственные и примесные полупроводники. По¬ложение при-месных уровней в полупроводниках.
5. Статистика носителей зарядов в полупроводниках и металлах. Статистика носителей зарядов в твердых телах. Функции распределения Мак-свела-Больцмана, Ферми-Дирака и Бозе-Эйнштейна. Распределение Фер¬ми-Дирака для металлов. Плотность заполнения уровней в полупроводниках. Оп-ределение концентрации носителей в полупроводниках. Положение уровня Ферми и концентрация носителей заряда в собственных полупроводниках. Положение уровня Ферми и концентрация носителей заряда в примесных по¬лупроводниках. Вырожденные полупроводники. Компенсированные полупро¬водники. Концентрация носителей в металлах.
6. Тепловые свойства твердых тел
Нормальные колебания атомов в кристалле. Дисперсионные зависимости для акустических и оптических колебаний. Спектр нормальных колебаний ре-шетки. Тепловые колебания с квантовой точки зрения. Фононы. Теплоем¬кость кристаллической решетки. Законы Дюлонга-Пти и Дебая. Характери¬стическая температура Дебая. Теплоемкость электронного газа. Тепловое расширение твердых тел. Теплопроводность решетки, ее зависимость от тем¬пературы. Теп-лопроводность электронного газа. Зависимость от температуры.
7. Электропроводность твердых тел
Равновесное состояние электронного газа в проводнике. Процессы рассея¬ния. Удельная электропроводность для вырожденного и невырожденного элек-тронного газа. Подвижность свободных носителей. Зависимость подвиж¬ности носителей заряда от температуры для вырожденного и невырожденного газов. Электропроводность металлов и сплавов. Элекгронроводность собст¬венных и примесных полупроводников. Закон Видемана-Франца.
8. Гальваномагнитные эффекты
Эффект Холла в примесных полупроводниках и метатлах. Эффект Холла в собственном полупроводнике. Эффект магнетосопротивлення. Эффект Эт-тин-гсгаузена в случаях собственного и примесного полупроводников.
9. Перенос заряда в полупроводниках
Процессы генерации и рекомбинации носителей заряда. Равновесные и не¬равновесные носители заряда. Излучательная и безызлучательная рекомби-на¬ция. Токоперенос в полупроводниках при наличии градиента концентрации. Соотношение Эйнштейна. Уравнение непрерывности. Диффузионная длина. Время жизни неравновесных носителей.
10. Электропроводность в сильных полях
Критерий сильного поля. Разогрев электронного газа. Закон Джоуля-Ленца. Зависимость подвижности от напряженности поля. Влияние поля на концен¬трацию носителей. Термоэлектронная ионизация Френкеля, ударная и элек¬тростатическая ионизация. Эффект Ганна.
11. Контактные явления в МЭ
Классификация контактных явлений. Работа выхода. Термоэлектронная эмиссия. Контакт металл - металл. Контактная разность потенциалов. Вы¬прямление на контакте металл - металл. Выпрямляющие и невыпрямляюшие контакты металла с полупроводниками п- и р-типов проводимости. Энергети¬ческие диаграммы. ВАХ барьера Шоттки. Электронно-дырочный переход. Классификация. Равновесное состояние электронно-дырочного перехода. Энергетическая диаграмма контакта. Выпрямляющие свойства р-п-перехода. Энергетические диаграммы. ВАХ р-n-перехода. Омический контакт двух по¬лупроводников. Гетеропереходы.
12. Поверхностные свойства полупроводников
Поверхностные состояния в полупроводниках. Быстрые и медленные со¬стояния. Поверхностный слой объемного заряда для случаев образования обо¬гащенных и обедненных слоев. Зонные диаграммы для р- и п-типов полупро¬водников при образовании обогащенных, обедненных и инверсных слоев По¬верхностная рекомбинация. Скорость поверхностной рекомбинации Эффект поля. Влияние поверхностного потенциала на поверхностную проводимость.
13. Оптические свойства твердых тел
Взаимодействие света с кристаллической средой. Закон Бугера–Ламберта. Оптические свойства металлов. Механизмы поглощения света в по-лупроводниках. Фотопроводимость. Зависимость коэффициента поглощения света  от энергии падающего света Е. Собственное поглощение в прямозон-ных и непрямозонных полупроводниках. Экситонное и примесное поглоще-ние света в полупроводниках. Зависимость (Е) для этих механизмов. Меха-низмы поглощения света свободными носителями заряда и на оптических ко-лебаниях. Эффект Франца-Келдыша
14. Физические процессы в диэлектриках решетки.
Основные электрические характеристики. Механизмы поляризации ди¬электриков. Электропроводность диэлектриков. Зависимость диэлектрической проницаемости от частоты переменного поля. Диэлектрические потери и ме¬ханизмы диэлектрических потерь. Тангенс угла диэлектрических потерь. Мощность диэлектрических потерь.
15. Магнитные свойства твердых тел
Основные магнитные характеристики материалов. Магнитные свойства атомов. Классификация магнитных материалов. Природа диа- и парамагне¬тизма. Ферро- и антиферромагнетизм. Механизмы намагничивания магнети¬ков в постоянном и переменных полях. Механизмы рассеяния энергии в фер¬ромагнетиках при их перемагничивании. Магнитострикцня. Ферримагнетизм. Цилиндрические магнитные домены. Эффект Фарадея.
Лабораторные работы по курсу "ФХОМ и Т"
1. Исследование поверхностной проводимости полупроводников.
2. Изучение контактных явлений.
3. Определение электрофизических характеристик полупроводников из измерений эффекта Холла.
4. Изучение спектров поглощения и определение ширины запрещен-ной зоны полупроводников.
5. Изучение структуры кристаллов.
6. Изучение механизмов поляризации диэлектриков.
7. Электропроводность диэлектриков и диэлектрические потери.
8. Исследование теплового расширения твердых тел.
РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
Основная литература
1. Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Физические основы конструирования и тех¬нологии РЭА и ЭВ А. М.: Сов. радио, 1979.
2. Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Твердотельная электроника. М.: Высш. шк. ,1986.
3. Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники. М.: Сов. ра-дио, 1971.
4. Штернов А.А. Физические основы конструирования, технологии РЭА и микроэлектроники. М.: Радио и связь, 1981.
5. Новиков В.В. Теоретические основы МЭ. - М.: Высш. шк., 1972.
6. Епифанов Г.И. Физика твердого тела. М.: Высш. шк., 1977.
Дополнительная литература
1. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов М: Сов.радио, 1970.
2. Гусева М.Б., Дубинина Е.М. Физические основы твердотельной элек¬троники. М.: МГУ, 1986.
3. Стильбанс Л.С. Физика полупроводников. М.: Сов. радио, 1967.
4. Горбачев В.В., Синицина Л.Г. Физика полупроводников и металлов. М.: Металлургия, 1976.